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两相步进电机 简单的构成为Nr=1的情况，电机结构如下图所示。一般两相电机定子磁极数为4的倍数，至少是4。转子为N极与S极各一个的两极转子。定子一般用硅钢片叠压，定子磁极数为4极，相当于一相绕组占两个极，A相两个极在空间相差180°，B相两个极在空间也相差180°。电流在一相绕组内正负流动（此种驱动方式称为双极性驱动），A相与B相电流的相位相差90°，两相绕组中矩形波电流交替流过。即两相电机的定子，在Nr=1时，空间相差90°,时间上电流相差90°相位差，电流与普通的同步电机相似，在定子上产生旋转磁场，转子被旋转磁场吸引，随旋转磁场同步旋转。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

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打结，结环等问题。表现：电缆绝缘层可承受90℃的额定温度，但护套没有额定温度。护套是为了形成的机械强度，这是其基本功能。如导线在90℃的自由空气中工作，且电流不超过额定电流，则电缆使用寿命可达到预期。废铜以后如何进行分类废铜分类种：包括、无涂层、无合金的纯铜线，表面无氧化，不含毛丝，铜线直径不小于1.6mm。第二种包括洁净、无色泽、无涂层、无锡、无合金的纯铜线和铜电缆线，不含毛丝和烧过的易碎的铜线。第三种无合金的废铜线，含有杂料，含铜量为96%（含量94%）。不得含有过分铅化和锡化的铜线、焊接过的铜线、黄铜和青铜线、过多的油、废钢铁和非金属、脆的过烧线、绝缘性铜线和过多的细丝线。

“门口灯，床头关灯”又称"一灯双控接法"，就是一个灯用两个关都能控制灯的亮与灭。常见的用处有，楼下灯，上楼后楼上关灯；门口灯，床头关灯；前门灯，后门关灯等等，都是为了方便实现一个地方能关灯，另一地方也能关灯。基本原理图如下它的原理非常简单，只需比单控关多一条线就可实现，主要由两个双控关来组合实现。都是二选一关，因此任何时刻，拨动任一关，灯不是亮就是灭。当左边关拨动是灯亮的时候，右边关拨动必然是灯灭，反之亦然。下图是MF47型万用表。MF47型万用表外形如下图所示，由提把、表头、测量选择关、欧姆档调零旋钮、表笔插孔、晶体管插孔等部分构成。万用表面板上部为微安表头，表头的下边中间有一个机械调零器，用以校准表针的机械零位。如下图所示。表针下面的刻度盘上共有6条刻度线，从上往下依次是电阻刻度线、电压电流刻度线、晶体管值刻度线、电容刻度线、电感刻度线、电平刻度线。标度盘上还装有反光镜，用以消除视差。面板下部中间是测量选择关，只需转动一个旋钮就可以选择各量程档位。跳跃闭锁继电器线圈的电压。跳跃闭锁继电器的电流线圈中的电压降应校验操作回路额定电压的5%，电压线圈动作值不大于操作回路额定直流电压的70%，保证操作直流电源在规定范围内波动时，TBJ可靠动作，同时TBJ电压动作值应不小于操作回路额定直流电压的50%，以保证操作回路直流电源接地时，保护不会误动作。这也是TBJ电气检验中必须要检验的一个项目之一。跳跃闭锁继电器绝缘性能。跳跃闭锁继电器的电流线圈无电气的各导电部分之间，能承受工频2000V电压，时间为1分钟，所有导电部分对架之间，能承受工频2000V电压，时间1分钟。)施工质量控制。按照会审后的设计图纸和相关技术文件及有关工程建设法规、文件的总体设计方案进行，严格按图纸的施工要求保质保量的进行，若发现与图纸不一致的地方，不允许私自变更，应与设计师共同探讨解决，严格推行规范化、标准化、可操作化的质量控制程序;对各个子系统的施工质量、单体设备严控把关，好各项系统和设备的测试和调试记录;对智能建筑弱电工程涉及到的外围设备和材料进行检验，凡无标志或标志不清的、对质量保证有怀疑的、与签署合同不相符材料需进行抽检，进口材料需要 商检证明和产地证明，好材料报审，经监理审核确认后方可施工。三极管有三种工作状态，分别是放大、饱和、截止。使用 多的是工作在放大状态。NPN型三极管其两边各位一块N型半导体，中间为一块很薄的P型半导体。这三个区域分别为发射区、集电区和基区，从三极管的三个区各引出一个电极，相应的称为发射极（E）、集电极（C）和基极（B）。虽然发射区和集电区都是N型半导体，但是发射区的掺杂浓度比集电区的掺杂浓度要高得多。另外在几何尺寸上，集电区的面积比发射区的面积要大。由此可见，发射区和集电区是不对称的。